(penetration, punch through, reach through) Ein Effekt bei MOS-Transistoren, der bei kurzer Kanallänge auftritt: Die Raumladungszonen können sich bereits bei geringer Drain-Source-Spannung beröhren. Gefunden auf https://www.elektroniknet.de/lexikon/?s=2&k=S&id=20488&page=1
(penetration, punch through, reach through) Ein Effekt bei MOS-Transistoren, der bei kurzer Kanallänge auftritt: Die Raumladungszonen können sich bereits bei geringer Drain-Source-Spannung beröhren.