(ONO-FET) Feldeffekttransistor zur Bildung nichtflüchtiger RAM-Strukturen, dessen aktive Ladungsfalle aus einer Nitridschicht besteht, die sich zwischen zwei Oxidschichten befindet. Diese Struktur umschließt eine Silizium-Rippe an drei Seiten, di...
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https://www.computer-automation.de/lexikon/?s=2&k=O&id=23936&page=1
(ONO-FET) Feldeffekttransistor zur Bildung nichtflüchtiger RAM-Strukturen, dessen aktive Ladungsfalle aus einer Nitridschicht besteht, die sich zwischen zwei Oxidschichten befindet. Diese Struktur umschliet eine Silizium-Rippe an drei Seiten, die somit drei Gates bilden.
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https://www.elektroniknet.de/lexikon/?s=2&k=O&id=23936&page=1
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