Ein parasitärer Effekt in vertikalen MOSFETs, hervorgerufen durch parasitäre Junction-FETs in einer engen MOSFET-Struktur. Der J. hemmt den vertikalen Stromfluss durch das Bauteil.
Ein parasitrer Effekt in vertikalen MOSFETs, hervorgerufen durch parasitre Junction-FETs in einer engen MOSFET-Struktur. Der J. hemmt den vertikalen Stromfluss durch das Bauteil.