Indiumnitrid (InN) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter, der aus Indium und Stickstoff gebildet ist. Potentielle zukünftige Anwendungen dieses Werkstoffes liegen in Kombination von Galliumnitrid im Bereich von Solarzellen. Der temperaturabhängige Bandabstand von InN beträgt bei 300 K ca. 0,7 eV und liegt im infraroten Spektralbereich. In Kombina...