Als Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen Speichertyp auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften, das heißt dem Ferromagnetismus analoge elektrische Eigenschaften. Der Aufbau entspricht dem einer DRAM-Zelle, nur wird anstelle eines konventionellen Kondensato...