(penetration, punch through, reach through) Ein Effekt bei MOS-Transistoren, der bei kurzer Kanallänge auftritt: Die Raumladungszonen künnen sich bereits bei geringer Drain-Source-Spannung berühren. Gefunden auf https://www.computer-automation.de/lexikon/?s=2&k=S&id=20488&page=1
(penetration, punch through, reach through) Ein Effekt bei MOS-Transistoren, der bei kurzer Kanallänge auftritt: Die Raumladungszonen künnen sich bereits bei geringer Drain-Source-Spannung berühren.