Die integrierten Schaltkreise (ICs) werden in einem heteroepitaxialen Prozess hergestellt, bei dem eine dünne Schicht von einkristallinem Silizium auf einem Saphir-Wafer hergestellt wird. Typischerweise werden hochreine, künstlich gezüchtete Saphir-Kristalle eingesetzt. Der Vorteil von Saphir ist seine exzellente Eigenschaft als elektrischer Is... Gefunden auf https://de.wikipedia.org/wiki/Silicon-on-Sapphire