Molekularstrahlepitaxie ({EnS|molecular beam epitaxy}, MBE) ist ein PVD-Verfahren, um kristalline dünne Schichten (bzw. Schichtsysteme) herzustellen. Das Verfahren wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet, unter anderem um einkristalline Strukturen aus Halbleiterverbindungen wie Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP), GaInNAs, Galli...
Gefunden auf
https://de.wikipedia.org/wiki/Molekularstrahlepitaxie
Bei der MBE deutsch: Molekularstrahlepitaxie handelt es sich um ein Verfahren zur präzisen Herstellung atomar dünner Schichten und Heterostrukturen. Halbleiterheterostrukturen im Nanometerbereich weisen aufgrund quantenphysikalischer Gesetzmäßigkeiten neue Eigenschaften auf. Verbindungshalbleiter, wie z. B. Galliumarsenid oder Galliumnitrid, we...
Gefunden auf
https://www.enzyklo.de/Lokal/42674
Keine exakte Übereinkunft gefunden.
