(inversion layer) Oxidschicht unterhalb der Gate-Elektrode in FETs, in der Elektronen eine Schicht bilden, die eine invertierte Polarität zu den Ladungsträgern im Substratmaterial haben. Sie wird durch die Gatespannung induziert.
Gefunden auf
https://www.computer-automation.de/lexikon/?s=2&k=I&id=15585&page=1
(inversion layer) Oxidschicht unterhalb der Gate-Elektrode in FETs, in der Elektronen eine Schicht bilden, die eine invertierte Polaritt zu den LadungsTrägern im Substratmaterial haben. Sie wird durch die Gatespannung induziert.
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https://www.elektroniknet.de/lexikon/?s=2&k=I&id=15585&page=1
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