Der Heterojunction Bipolar Transistor (HBT bzw. HJBT, dt. »Bipolartransistor mit Heteroübergang«) ist ein Bipolartransistor (BJT), dessen Emittermaterial anders als das der Basis gewählt ist. Dabei entsteht die namensgebende Heterostruktur. Er entspricht damit der bipolaren Ausführung eines High-Electron-Mobility-Transistors (HEMT). == Aufbau...
(HBT oder HJBT) Bipolarer Transistor in Heterostruktur. Das bipolare Pendant des HEMT.
(HBT oder HJBT) Bipolarer Transistor in Heterostruktur. Das bipolare Pendant des HEMT.