Codename für einen superschnellen SiGe-Transistor, den IBM im November 2002 vorstellte. G. baut auf einem modifizierten Design und Silizium-Germanium-Bipolar-Technologie auf. Er erreicht Geschwindigkeiten von bis zu 350 GHz. Der neue Transistor l...
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Codename für einen superschnellen SiGe-Transistor, den IBM im November 2002 vorstellte. G. baut auf einem modifizierten Design und Silizium-Germanium-Bipolar-Technologie auf. Er erreicht Geschwindigkeiten von bis zu 350 GHz. Der neue Transistor leistet damit annähernd die dreifache Leistung gegenüber bis dahin hergestellten Pr...
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https://www.elektroniknet.de/lexikon/?s=2&k=G&id=14421&page=1
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