(VIP) Komplementäre bipolare PNP-Transistorstruktur mit zwei Polysilizium-Schichten, die einen nur 1 üm breiten Emitter ermüglichen. Durch Salicidation lassen sich die Emitter-, Basis- und Kollektorwiderstände reduzieren. Die Basisregion des Tran...
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https://www.computer-automation.de/lexikon/?s=2&k=V&id=22077&page=1
(VIP) Komplementre bipolare PNP-Transistorstruktur mit zwei Polysilizium-Schichten, die einen nur 1 m breiten Emitter ermöglichen. Durch Salicidation lassen sich die Emitter-, Basis- und Kollektorwiderstände reduzieren. Die Basisregion des Transistors ist von einem oxidgefllten Graben mit geringer Tiefe umgeben, der zu einer ...
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