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Local Oxide of Silicon
(LOCOS) SOI-Verfahren, bei dem kleine, isolierte Substratstrukturen nach gezieltem Wegätzen entstehen.
Gefunden auf
https://www.computer-automation.de/lexikon/?s=2&k=L&id=16447&page=1
Local Oxide of Silicon
(LOCOS) SOI-Verfahren, bei dem kleine, isolierte Substratstrukturen nach gezieltem Wegtzen entstehen.
Gefunden auf
https://www.elektroniknet.de/lexikon/?s=2&k=L&id=16447&page=1
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