Effekt in MOSFETs mit kurzer Kanallänge, der von der Einengung des Kanals durch die naheliegenden Sperrschichten der parasitären Substrat-Dioden verursacht wird.
Effekt in MOSFETs mit kurzer Kanallänge, der von der Einengung des Kanals durch die naheliegenden Sperrschichten der parasitren Substrat-Dioden verursacht wird.