LOCOS, kurz für englisch Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium-Wafer an ausgewählten Stellen maskiert und das freigelegte Silicium anschließend (lokal) oberflächennah oxidiert, so da...