Indiumgalliumnitrid (InGaN, InxGa1-xN) ist ein III-V-Halbleiter welcher aus den beiden Grundsubstanzen Galliumnitrid und Indiumnitrid gebildet ist. Anwendung dieses Werkstoffes liegen insbesondere in der Optoelektronik zur Realisierung von blauen, violetten und grünen Leuchtdioden und von blau-violetten Laserdioden, welche im Bereich optischer Sp...