Galliumnitrid (GaN) ist ein III-V-Halbleiter mit großer elektronischer Bandlücke (wide bandgap), der in der Optoelektronik insbesondere für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzfeldeffekttransistoren Verwendung findet. Darüber hinaus ist es für Sensorikanwendungen geeignet. == Geschichte...
(GaN) III-V-Verbindungshalbleiter, der sich besonders für den Einsatz in Hochfrequenz- und optoelektronischen Halbleitern eignet.
(GaN) III-V-Verbindungshalbleiter, der sich besonders für den Einsatz in Hochfrequenz- und optoelektronischen Halbleitern eignet.