Wirkung des Ausblendeffekts in Halbleitergrenzschichten, d.h. ein Beschrnken der Ladungsträger-Injektion in den Basisraum auf die vorderste Front der einlegierten Emitterzone und ein Beschrnken der Lcherstrmung im Basisraum auf kurze Wege. Gefunden auf https://www.elektroniknet.de/lexikon/?s=2&k=A&id=10176&page=1
Wirkung des Ausblendeffekts in Halbleitergrenzschichten, d.h. ein Beschrnken der Ladungsträger-Injektion in den Basisraum auf die vorderste Front der einlegierten Emitterzone und ein Beschrnken der Lcherstrmung im Basisraum auf kurze Wege.