Raumladungszone in einer Halbleitergrenzschicht mit negativer Ladung an einem Metall-Halbleiter-Kontakt oder an einer Halbleiter-Oberfläche. In dieser Raumladungszone ist die Elektronendichte großer als im Inneren des Halbleiters. Die Ausbildung dieser Schicht hängt für einen Metall-Halbleiter-Kontakt von der Austrittsarbeit der...