(tunnel barrier) Das in der Grenzschicht einer Esaki-Diode vorhandene elektrische Potenzial, das den Tunneleffekt verhindert und direkt mit der Bandlücke des Halbleitermaterials zusammenhängt. Wenn die T. gering ist, kann eine hohe Tunn...
Gefunden auf
https://www.computer-automation.de/lexikon/?s=2&k=T&id=34335&page=1
(tunnel barrier) Das in der Grenzschicht einer Esaki-Diode vorhandene elektrische Potenzial, das den Tunneleffekt verhindert und direkt mit der Bandlücke des Halbleitermaterials zusammenhängt. Wenn die T. gering ist, kann eine hohe Tunnelstromstärke erreicht werden. S.a. Tunnel-Reststrom-Verhältnis.
Gefunden auf
https://www.elektroniknet.de/lexikon/?s=2&k=T&id=34335&page=1
Keine exakte Übereinkunft gefunden.
