Akronym für High Electron-Mobility Transistor.
Akronym für High Electron-Mobility Transistor.
HEMT , ein Feldeffekttransistor mit künstlicher Mikrostruktur auf Galliumarsenidbasis für Höchstfrequenz-Halbleiterbauelemente. Beim HEMT ist der Kanal undotiert, sodass die Elektronen im Kanal eine hohe Beweglichkeit aufweisen. Die Ladungsträger werden von den Donatoren der n-dotierten Schi...