(band edge deflection) Anomalie in der Bandkante in einer Halbleitergrenzschicht. Eine ausgeprägte B. entsteht infolge extrem hoher p- und n-Dotierung, wie sie in Esaki-Dioden (Tunneldioden) praktiziert wird. Die Folge ist die Entstehung ein...
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https://www.computer-automation.de/lexikon/?s=2&k=B&id=29790&page=1
(band edge deflection) Anomalie in der Bandkante in einer Halbleitergrenzschicht. Eine ausgeprägte B. entsteht infolge extrem hoher p- und n-Dotierung, wie sie in Esaki-Dioden (Tunneldioden) praktiziert wird. Die Folge ist die Entstehung eines entarteten Leitungsbandes und eines entarteten Valenzbandes. Die B. füh...
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https://www.elektroniknet.de/lexikon/?s=2&k=B&id=29790&page=1
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