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Bundesministerium für Bildung und Forschung - TechPortal
Kategorie: Elektrotechnik und Elektronik
Datum & Land: 14/02/2009, DE
Wörter: 8064


Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

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Laser-Galvanik
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