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Bundesministerium für Bildung und Forschung - TechPortal
Kategorie: Elektrotechnik und Elektronik
Datum & Land: 14/02/2009, DE
Wörter: 8064


Laser-CVD
CVD-Verfahren, wobei die chemische Reaktion durch einen Laserstrahl ausgelöst wird, der auf das Substrat gerichtet ist. Lokal deutlich höhere Abscheideraten als bei konventioneller CVD, Möglichkeit der lokalen Abscheidung (Schreiben von Mikrostrukturen).

Laser-CVD
CVD-Verfahren, wobei die chemische Reaktion durch einen Laserstrahl ausgelöst wird, der auf das Substrat gerichtet ist. Lokal deutlich höhere Abscheideraten als bei konventioneller CVD, Möglichkeit der lokalen Abscheidung (Schreiben von Mikrostrukturen).

Laser-CVD
CVD-Verfahren, wobei die chemische Reaktion durch einen Laserstrahl ausgelöst wird, der auf das Substrat gerichtet ist. Lokal deutlich höhere Abscheideraten als bei konventioneller CVD, Möglichkeit der lokalen Abscheidung (Schreiben von Mikrostrukturen).

Laser-CVD
CVD-Verfahren, wobei die chemische Reaktion durch einen Laserstrahl ausgelöst wird, der auf das Substrat gerichtet ist. Lokal deutlich höhere Abscheideraten als bei konventioneller CVD, Möglichkeit der lokalen Abscheidung (Schreiben von Mikrostrukturen).

Laser-CVD
CVD-Verfahren, wobei die chemische Reaktion durch einen Laserstrahl ausgelöst wird, der auf das Substrat gerichtet ist. Lokal deutlich höhere Abscheideraten als bei konventioneller CVD, Möglichkeit der lokalen Abscheidung (Schreiben von Mikrostrukturen).

Laser-CVD
CVD-Verfahren, wobei die chemische Reaktion durch einen Laserstrahl ausgelöst wird, der auf das Substrat gerichtet ist. Lokal deutlich höhere Abscheideraten als bei konventioneller CVD, Möglichkeit der lokalen Abscheidung (Schreiben von Mikrostrukturen).

Laser-CVD
CVD-Verfahren, wobei die chemische Reaktion durch einen Laserstrahl ausgelöst wird, der auf das Substrat gerichtet ist. Lokal deutlich höhere Abscheideraten als bei konventioneller CVD, Möglichkeit der lokalen Abscheidung (Schreiben von Mikrostrukturen).

Laser-CVD
CVD-Verfahren, wobei die chemische Reaktion durch einen Laserstrahl ausgelöst wird, der auf das Substrat gerichtet ist. Lokal deutlich höhere Abscheideraten als bei konventioneller CVD, Möglichkeit der lokalen Abscheidung (Schreiben von Mikrostrukturen).

Laser-CVD
CVD-Verfahren, wobei die chemische Reaktion durch einen Laserstrahl ausgelöst wird, der auf das Substrat gerichtet ist. Lokal deutlich höhere Abscheideraten als bei konventioneller CVD, Möglichkeit der lokalen Abscheidung (Schreiben von Mikrostrukturen).

Laser-CVD
CVD-Verfahren, wobei die chemische Reaktion durch einen Laserstrahl ausgelöst wird, der auf das Substrat gerichtet ist. Lokal deutlich höhere Abscheideraten als bei konventioneller CVD, Möglichkeit der lokalen Abscheidung (Schreiben von Mikrostrukturen).

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

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Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

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Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

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Laser-Galvanik
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Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

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Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

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Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.

Laser-Galvanik
Unterstützung elektrochemischer Abscheidung durch eine Laserbestrahlung des Substrates. Erhöhung der Rate gegenüber konventioneller naßchemischer Abscheidung, direktes Schreiben von Strukturen möglich.