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Bundesministerium für Bildung und Forschung - TechPortal
Kategorie: Elektrotechnik und Elektronik
Datum & Land: 14/02/2009, DE
Wörter: 8064


Abscheidung ionisierter Cluster
Ionenplattierverfahren, bei dem Cluster aus typischerweise mehreren hundert Atomen beim Durchtritt von atomarem Dampf des Beschichtungsmaterials durch eine spezielle Düse kondensieren. Die Cluster werden ionisiert und auf das elektrisch vorgespannte Substrat beschleunigt. Energie der auftreffen...

Aluminium
Thermochemisches Verfahren, Eindiffusion von Aluminium in das Werkstück aus der Schmelze oder aus Pulvergemischen. Anwendung als Hochtemperatur-Oxidationsschutz.

Angström
Ein Angström ist der 10milliardste Teil eines Meters oder 1/10 eines Nanometers. Abkürzung: Š Typische Größenordnung von Atomen. Das Wasserstoffatom hat einen Durchmesser von ungefähr einem Angström. Benannt nach dem schwedischen Physiker Anders Jonas Šngström (1814 - ...

Arc-Verfahren
PVD-Verfahren, zwischen einer Anode und dem als Kathode geschalteten Beschichtungswerkstoff (Target) wird ein Lichtbogen gezündet. In dessem Fußpunkt auf dem Target wird Material in den gasförmigen Zustand gebracht und erreicht mit hohem Ionisierungsgrad das Substrat. Gute Haftfestigkeiten...

Atto
Atto ist die Abkürzung für den trillionsten Teil (1*10-18). Kurzschreibweise: a, z.B. Attometer am Atto ist vom norwegischen atten = achtzehn abgeleitet worde. Ultrakurze Laserpulse können bis in den Attosekundenbereich vorstoßen.

Aufdampfen
PVD-Verfahren, das Beschichtungsmaterial wird im Vakuum verdampft (z.B. durch Widerstandsheizung oder über Aufheizung mit einem Elektronenstrahl). Der Dampf schlägt sich am Substrat nieder. Hohe Raten erreichbar, genutzt z.B. in der Großflächenbeschichtung, Schichten allerdings i.a. d...

Aufkohlen
(Carburieren) Thermochemisches Verfahren, Eindiffusion von Kohlenstoff in das Werkstück aus der Gasphase, einer Salzschmelze oder aus einem Pulver.

Auger Elektronen
Elektron emittiert von einem Atom, dass in einer inneren Schale ionisiert wurde. Elektron emittiert von einem Atom, dass in einer inneren Schale ionisiert wurde. Die Ionisierung erfolgt entweder durch Elektronen oder durch Photonen. Die entstandene Lücke wird durch ein Elektron aufgefüllt...

Auger Elektronen Spektroskopie
(AES) Elementspezifische, oberflächensensitive Analysemethode Grenz- bzw. Oberflächensensitive Analysemethode zur Bestimmung der chemischen Zusammensetzung. Im Ultrahochvakuum werden Oberflächenatome mit einem Elektronenstrahl bei einer Energie von 1-10 keV in ein...

Ausheilverfahren
Beseitigung von Defekten durch eine thermische Behandlung. Z.B. Einsatz in der Halbleitertechnologie.

Biomineralisation
Mineralisation durch biologische Organismen. Organismen sind in der Lage komplexe Mineralien durch Selbst-Organisation herzustellen. Diese sog. Biomineralien, wie Zähne, Knochen oder Eierschalen etc., werden in einer äußerst effizienten Art und Weise produziert. Die Synthese derart komple...

Bogenplasmen
Plasmen in Lichtbögen Bogenplasmen sind Plasmen (Bogenentladungen) mit Elektronendichten von 1020 - 1024 m-3 und Temperaturen von 103 - 105 K. Die Temperaturen der Ionen und Neutral-teilchen liegen deutlich über der Umgebungstemperatur. Vor allem bei höheren Elekt-ronendichten befind...

Borieren
Thermochemisches Verfahren, Eindiffusion von Bor in das Werkstück aus der Gasphase, der schmelzflüssigen Phase oder aus aufgebrachtem Pulver. Erzeugung harter, verschleißmindender Randschichten.

Bottom-Up
Mit kleinen Bausteinen größere Strukturen aufbauen (Legoprinzip). Allgemeiner Begriff für den Aufbau komplexerer Strukturen aus kleineren Bausteinen. Aus der Sicht der Lithographie ist 'bottom up' das Gegenteil eines 'top down' Verfahrens. Die Bausteine können dabei z.B. Molekül...

Brownsche Bewegung, Brownsche Molekularbewegung
Thermisch bedingte Eigenbewegung von kleinen Partikeln oder Molekülen. Atome und Moleküle sind ständig durch die thermische Anregung in Bewegung. Diese Molekularbewegung innerhalb eines Gases kann nun größere Partikel wie Staubteilchen oder Pollen zu einer makroskopischen Beweg...

Chromatograpie
Trennmethode zur Aufteilung von Gemischen in seine Komponenten. Mit Chromatographie bezeichnet man die räumliche Trennung von Substanzgemischen zwischen zwei Phasen. Dabei wird zwischen Flüssig- und Gaschromatographie unterschieden, je nach dem in welchem Aggregatzustand sich das zum Tran...

CMOS
Complementary Metal Oxide Semiconductor Complementary Metal Oxide Semiconductor ICs in CMOS-Technik bestehen aus N-Channel und P-Channel Metal-Oxide-Feldeffekt-Transistoren. Die dazu nötigen Strukturen lassen sich platzsparend auf den ICs integrieren, und die Leistungsaufnahme ist praktisch nu...

CPU
Central Processing Unit (Zentraleinheit). 'Central Processing Unit (Zentraleinheit). Das Herz eines Computers; der Prozessor bzw. die Prozessoren, die die Verarbeitung durchführen; der Mikrochip, der die Erfassung, Dekodierung und Ausführung von Befehlen und die Übertragung von Daten steu...

CVD
'Chemical Vapour Deposition'. Das Schichtausgangsmaterial, das in Form einer leicht flüchtigen Verbindung vorliegt, wird evt. gemeinsam mit den Reaktionspartnern (meist im Vakuum) in die Dampfphase gebracht. Durch eine thermisch oder plasmatechnisch angeregte chemische Reaktion aus der Dampfpha...

Dendrimer
Verzweigtes Molekül, von griechisch dendra = Baum. Künstlich hergestellte Klasse von Molekülen, die durch die verzweigte und wiederholte Anordnung von Monomeren ein baumähnliches Aussehen erhalten, was auch ihren vom griechischen abgeleiteten Namen bestimmt. Dendrimere sind Poly...

Die
'Die heißen die ICs, solange sie noch nicht ins Gehäuse gesetzt worden sind. Sie befinden sich während des gesamten Fertigungsvorgangs auf dem Wafer, sie entstehen auf dem Wafer indem der Wafer die vielen Prozeßschritte durchläuft. Erst wenn sie fertig sind, wird der Wafer in die einz...

Diffusion
Thermodynamischer Prozeß des Ausgleichs von Konzentrationsgefällen. Findet merklich statt bei höheren Temperaturen, insbesondere an der Grenzfläche zwischen verschiedenen Phasen.

Dip Coating
Tauchbeschichtung, Schicht wird durch Eintauchen des Substrates in eine Lösung erzeugt. z.B. Isolier- und Schutzschichten für elektronische Bauelemente oder Beschichtung von Bandware aus Metall oder Kunststoffen.

Dip Pen Nanolithography
(DPN) Lithografische Methode, die auf dem SFM basiert. Methode zur Erzeugung nanoskopischer Strukturen mit dem Rasterkraftmikroskop. Dazu wird die Sonde eines SFM mit einer Tinte benetzt, die durch den Scanprozess kraftabhängig auf ein Substrat übertragen werden kann. ...

DNA
Deoxyribonucleic acid, internationales Kürzel DNA. Desoxyribonukleinsäure (DNS) oder die Erbsubstanz. Großes Makromolekül, dass als Träger der Erbinformation dient. Die Erbinformation ist als genetischer Code in Form von Basenpaarsequenzen abgelegt und dient als Vorlage zur Prot...

Dotierung
Gezielter Einbau von Verunreinigungen in ein Material, oft in nur geringen Konzentrationen. Vor allem in der Halbleitertechnologie genutzt zur Einstellung der elektrischen Eigenschaften (Leitfähigkeit) von Halbleitern.

DRAM
Dynamic Random Access Memory 'Ein Halbleiterspeicher, in dessen Zellen sich jeweils 1 Bit Information speichern läßt. Im speziellen Fall der DRAMs wird die Informationseinheit in einem Kondensator gespeichert, der mit einem Auswahltransistor verbunden ist. Ist der Kondensator geladen, so enth&...

eDRAM
Embedded DRAM 'Embedded DRAM, kurz eDRAM, bedeutet, daß sich DRAMSpeicher auf einem Chip befinden, auf dem noch weitere Logikfunktionen untergebracht sind. Im Gegensatz etwa zu SRAMs oder ROMs eignen sich DRAMs nicht besonders gut, um sie mit Logikbereichen zu kombinieren, denn die Prozeßtechniken ...

Einsatzhärten
Thermochemisches Verfahren, Carburieren mit anschließender Wärmebehandlung zum Härten. Z. B. eingesetzt bei Funktionsflächen von Zahnrädern oder Wälzlagern.

Elektrochemische Abscheidung
Abscheidung aus einem geeigneten, meist wäßrigen Elektrolyten durch Stromdurchgang. Das Substrat ist entweder als Kathode geschaltet (Abscheidung von Metallen) oder als Anode (anodische Oxidation). Industriell etablierte Verfahren, im Vergleich zu PVD und CVD sind dicke Schichten erreichbar, Ab...

Elektrochemische Abscheidung mit Dispersion harter
Elektrochemische Abscheidung unter Einlagerung von in der Lösung dispergierter Teilchen. Z.B. Einlagerung von Hartstoffen wie SiC (Verschleißschutz) oder Gleitstoffen wie PTFE (Reibungsminderung).

Elektrolytische und chemische Beschichtung
Abscheidung von Schichten aus Flüssigkeiten, i.a. aus wäßrigen Lösungen. Man unterscheidet die galvanische Abscheidung unter äußerem elektrischem Stromfluß und die chemische Abscheidung (kein äußerer elektrischer Strom). Industriell etablierte Verfahren, im Vergleich zu PVD ...

Elektronenstrahl-CVD
CVD-Prozeß, bei dem die chemische Reaktion durch einen Elektronenstrahl ausgelöst wird. Selten eingesetzt.

Elektronenstrahl-Lithographie
() Strukturierungsmethode, bei der mit einem Rasterelektronenmikroskop nanoskalige Strukturen geschrieben werden. Die Elektronenstrahl-Lithographie nutzt die Empfindlichkeit organischer Schichten gegenüber Elektronenbeschuss aus. Mit einem Rasterelektronenmikroskop (REM) wi...

Elektropolieren
Abtragetechnik, durch anodisches Abtragen einer Metalloberfläche in säurehaltigen Elektrolyten wird ein Glättungseffekt der Oberfläche erreicht. Eingesetzt z.B. in der Kerntechnik oder im Maschinenbau, Entgraten von Werkstücken.

Ellipsometrie
Die Ellipsometrie ist als zerstörungsfreies Prüfverfahren zur Schichtdickenmessung in der Oberflächen- und Schichttechnik unverzichtbar. Ausgenutzt wird dabei das unterschiedliche Reflexionsverhalten des einfallenden Lichtes. Ellipsometrie kann bei verschiedenen Wellenlängen und ...

Entkohlen
Verringerung der Kohlenstoffgehaltes in der Randschicht durch Wärmebehandlung in einem entkohlenden Medium.

Extrazelluläre Matrix
(ECM, extracellular matrix) Das die Zellen umgebene Gewebe, welches sowohl stützende als auch funktionelle Bedeutung hat. Das Gewebe vielzelliger Organismen besteht aus Zellen und dazwischen liegenden Makromolekülen. Die Gesamtheit der die Zellen umgebenen Zwischenr&au...

Femtometer
Ein Femtometer ist der billiardste Teil eines Meters (1*10-15m). Abkürzung: fm Das Femtometer wird auch Fermi genannt, in Anlehnung an den berühmten Physiker Enrico Fermi (1901-1954). Die typische Größenordnung von Atomkernen liegt im Femtometerbereich. Von norwegisch fünfzehn (...

Fluorierung
Trockenchemisches, bei Raumtemperatur durchgeführtes Verfahren zur langzeitstabilen Erhöhung der Oberflächenenergie von Kunststoffteilen, -folien, -schäumen und †“bahnen. Es erfolgt eine Substitution von Wasserstoff- durch Fluoratome, wodurch die Erhöhung der Oberflächen...

Fraktal
Unregelmässige, selbstähnliche geometrische Struktur. Fraktale sind geometrische Strukturen mit gebrochener Dimension. Das Wort Fraktal geht dabei auf den Computerwissenschaftler Benoit Mandelbrot zurück, der 1975 das Wort prägte. Er erkannte, dass die Küstenlinie Englands ...

Fremdstromlose Abscheidung
Abscheidung aus einem Elektrolyten, ohne daß ein äußerer Strom fließt. Üblich sind die Bezeichnungen chemische Abscheidung oder außenstromlose Abscheidung. Konturengetreue Beschichtung komplex geformter Bauteile ist möglich.

Fullerene
Klasse von käfigartigen Kohlenstoffmolekülen. Allgemeiner Name von Kohlenstoffmolekülen wie 'Bucky Balls' und 'Carbon Nanotubes'. Der Name Fullerene basiert auf dem Aussehen der fußballähnlichen 'Bucky Balls'. Diese häufig aus 60 Kohlenstoffatomen aufgebauten Moleküle ...

Fusionsplasmen
hochenergietische, magnetisch eingeschlossene Plasmen Fusionsplasmen sind magnetisch eingeschlossene Plasmen, z.B. toroidale Konfiguratio-nen, Pinchentladungen, Spiegelentladungen und Plasmafallen sowie Plasmen, die durch Laserstrahlung oder hochenergetische Teilchenstrahlung aus kondensierter Ma-t...

GaAs
Galliumarsenid. Ein Halbleiterwerkstoff, der für die Fertigung optoelektronischer Geräte und Hochfrequenzgeräte verwendet wird. GaAs hat eine höhere Elektronenmobilität als Silizium und ermöglicht die Fertigung schnellerer Geräte.'

GaAs
Galliumarsenid. Ein Halbleiterwerkstoff, der für die Fertigung optoelektronischer Geräte und Hochfrequenzgeräte verwendet wird. GaAs hat eine höhere Elektronenmobilität als Silizium und ermöglicht die Fertigung schnellerer Geräte.'

GaAs
Galliumarsenid. Ein Halbleiterwerkstoff, der für die Fertigung optoelektronischer Geräte und Hochfrequenzgeräte verwendet wird. GaAs hat eine höhere Elektronenmobilität als Silizium und ermöglicht die Fertigung schnellerer Geräte.'

GaAs
Galliumarsenid. Ein Halbleiterwerkstoff, der für die Fertigung optoelektronischer Geräte und Hochfrequenzgeräte verwendet wird. GaAs hat eine höhere Elektronenmobilität als Silizium und ermöglicht die Fertigung schnellerer Geräte.'

GaAs
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GaAs
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